【電気】
・静電気･静磁気､電界･磁界､磁気回路､静電･電磁誘導
・直流回路､交流回路(正弦波･歪波､三相､多相)､回路網､共振､フィルタ､
・各種ブリッジ､四端子定数､過渡現象､分布定数回路､進行波､等
・電磁気学とベクトル解析
【電子】
・電子物性、電子デバイス、半導体工学
・電子管（真空管･撮像管･光電管等）
・半導体素子･回路(ダイオード･トランジスタ･FET･オペアンプ･等)
・アナログ回路(低･高周波等)、デジタル回路、電源回路等
【共通･他】
・電気･電子に関する数学･物理･化学
・電気･電子計測､各種定理､電気電子材料･素子､制御理論など。
等々に関すること。
＊質問レベルの目安は幅広く､高校･工高〜高専〜大学以上くらい。
＊各種電気･電子関連資格取得を目指している方もどうぞ。
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http://kamome.2ch.net/test/read.cgi/denki/1289281379/
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http://kamome.2ch.net/test/read.cgi/denki/1249340411/
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初心者質問スレ その80
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電子工作入門者・初心者の集うスレ 37
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電磁気学・総合スレッド(dat落ち)
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【注入？】趣味の電子工作Part1【節約？】(dat落ち)
http://science6.2ch.net/test/read.cgi/denki/1142874628/
・電気の基礎
http://www2.tky.3web.ne.jp/~kiyoshi3/m_basic/ba_x_01.htm#denki
・電磁気学
http://yhamamura.hp.infoseek.co.jp/
http://homepage2.nifty.com/eman/electromag/contents.html
・電子回路
http://www.nahitech.com/nahitafu/index.html
http://www-nh.scphys.kyoto-u.ac.jp/~enyo/kougi/elec/elec.html
・数学
http://www4.airnet.ne.jp/tmt/index.html
実用電源回路設計ハンドブック
ttp://www.cqpub.co.jp/hanbai/books/31/31681.htm
オン時間固定の下側検出タイプのリップルコンバータの伝達関数の導出方法を教えてください。
宜しくお願いします。
Z？=x+jy , Z？=R(cosθ+jsinθ) , Z？=re^jθ
それぞれの絶対値を求めよ。
「胸の谷のウマシカ」とでも名乗っとけ(あほ
> それぞれの絶対値を求めよ。
掲示板に向かって命令するのは
みっともない！！！
だいたいどれぐらいにするべきなのでしょうか？
オウム信者が地方で現在も潜伏している
それは新興宗教を配下としている公安の仕事だ
発案で盗聴器を開発したら霊魂が寄って呼ぶ来た
<電波憑依>
スピリチャル全否定なら江原三輪氏、高橋佳子大川隆法氏は、幻聴で強制入院矛盾する日本宗教と精神科
<コードレス盗聴>
2004既に国民20%被害250〜700台数中国工作員3〜7000万円2005ソウルコピー2010ソウルイン医者アカギ絡む<盗聴証拠>
今年５月に日本の警視庁防課は被害者SDカード15分を保持した有る国民に出せ!!<創価幹部>
キタオカ1962年東北生は二十代で2人の女性をR殺害して入信した創価本尊はこれだけで潰せる<<<韓国工作員鸛<<<創価公明党 <テロ装置>>東芝部品)>>R<宗教<R<<公安<<魂複<<官憲>日本終Googl検索
MOSFETの等価回路ではチャネル長変調効果を考慮するとドレーン抵抗がドレーン・ソース間に入ると教科書に記載されておりました。
その際に感じた疑問を数点ほど挙げさせて頂きます。
1.チャネル長変調係数がチャネル長が長いときに無視できるの何故か。(頭の中でイメージすると、むしろチャネル長が短い方が無視できるように感じる。)
2.ドレーン抵抗とは何か。(半導体素子なので実測値ではないようである。)
3.ソースフォロア回路を考えたときに、どのような影響を及ぼすのか。特に利得の式Av=(gmRL)/(1+gmRL)がどのように変化するのか。
以上、３点の内容が分かりません。
どなたか教えて頂けると助かります、よろしくお願いします。
SPICEシミュレーションでグラフを描いて調べてみれば直感的に分かる
ドレイン抵抗は現実のMOSFET特性を近似するために（ドレイン抵抗の無い）理想MOSFETモデルに
付け加えたパラメータ
理想電池に内部抵抗を付け加えて現実の電池をモデリングするのと同じこと
電池の内部抵抗を抵抗値として直接測定することは出来ないが、出力電圧・電流特性からその値を
求めることは出来る（電池の内部抵抗を理解できればMOSFETのドレイン抵抗も理解出来る）
ドレイン抵抗が無限大の時にソースフォロア回路の出力がどうなるか考えてみよ（それがわかれば
理論的にどうなるかは自分で調べられるはず）
それを教えてって聞いてるんでは
チャネルと空乏層の関係、そして飽和領域自体が理解できてない気がする
理想的にはVsat以上の電圧がソースドレイン間にかかるとVsatはチャネルに、残りは空乏層にのみ掛かる
このとき空乏層に高電界がかかるので、ホットエレクトロン効果でチャネルに届いた電子をただドレイン側に運ぶだけ
つまり電流は増えない「飽和」領域となる
ただ、実際にはこのときチャネル長が短くなるのでVsatがチャネル長が短くなればチャネル内の電界が高くなるので、電子が速く移動できる
つまり単位時間当たりの電荷量が増加、電流が増える
これを踏まえて
1.チャネル長が長いほど、（電界が掛かって）チャネルが短くなったときその電界の変化量が少ない
つまり電流は増えない、変調係数は小さい
2.飽和領域ではVdsを大きくしてもそれは空乏層にかかるだけで電流が増えない
つまりI=V/RよりVが大きくなっても大きなドレイン抵抗RのためIは増えないと解釈
3.漠然としていて自分には少し難しい
http://www.dotup.org/uploda/www.dotup.org2350234.bmp.html
のような8ビットのA/D変換回路を作成したいのですが、
入力ポートの回路図、各IC間の回路の接続が良く分かりません。
クロックには左下の回路、比較器には右下の回路
8ビットD/A変換器にはラダー抵抗型回路
を使うのだろうと思うのですが、どこをどこに繋げれば良いのかがなかなか…
分かる方いましたら教えていただけると嬉しいです。
整流用ダイオードの逆耐圧って複数個のダイオードを直列にすることで耐圧を上げれますか？
例えば、200Vの電圧を100V耐圧しかないダイオードを2個ないしは3個で整流できるかどうかというような感じです
どなたかよろしくお願いします
耐圧が上げるわけじゃないけど、分圧するんだからまぁ言ってる事はそういう事だね
逆方向電圧がかかったときの各ダイオードのインピーダンスにばらつきが
あると分圧比が変わるので止めといたほうがいい。
少しは逆電流を許容できるんなら、数MΩとかの抵抗（全部同一値）を
各ダイオードに並列につけて均等に分圧するという手はある。
ブロック図がさっぱりわからない
A/D変換器と書いてるし、比較器は電源？に比較器の出力からの抵抗を使ってるし
この図を探してきた所のアドレス貼った方がよさそう
open collector出力のコンパレータだとは思わない?
ありがとうございます
さっぱり分かりませんでしたが、お二人のアドバイスを元に飽和領域の特性から勉強し直してみます！助かりました！
すいません、失言でした
物性の勉強不足だったのでVsatやホットエレクトロン効果等の用語が何を指しているかもわからなかったので
レスを保存して、教科書等で意味を調べながら読み解く予定です！
例えば、
（１）２入力のANDゲート四つの出力先が４入力のORゲートの場合と
（２）２入力のANDゲート三つのうち、二つのゲートの出力先が２入力ORゲートで、
そのORゲートともう一つの２入力ANDゲートの出力先がさらに２入力ORゲートになってる回路
があるとすると
（１）はゲート数が５つ、二段構造（言葉が正確でなくて申し訳ありません）、最大入力数４
（2）はゲート数が５つ、三段構造、最大入力数２
のようになります。どちらの回路のほうが内部の計算量が多いかみたいなのは分かりますか？
上の場合は回路自体異なるものなのですが
カルノー図においてグループ化したあと、０と１の値のどちらに注目するかで同じ内容の回路が、二つ書けるのですが
ゲート数が少なくても、入力数を考えるとどちらが良いとも言いきれなかったからです
計算量って用はMOSFETの動作なんだからゲート数同じなら同じなのかな
と素人は思う
インバーターで直流を交流に変換するのに120度通電駆動方式というのが有ります。
ttp://avalonbreeze.web.fc2.com/35_03_06_inverter.html
上のサイトで見つけたのですが、スイッチのオンのタイミングがわかりません。
インバーターの上側スイッチはそれぞれ120度ずつ遅れながら動いていますが、下側のスイッチは上側のスイッチと比較して180度たってからオンになるのですか？
申し訳ないけど、教えてください。
上側と下側というのは「uならuについての上側T1と下側T2」のことで、
180度通電というのは逆位相、つまり上がON(Vs/2)のときは下はOFF
(-Vs/2)で上がOFF(-Vs/2)のときはON(Vs/2)ということ。
120度というのは「上記のスイッOをするタイミングがuから見てvが
120度遅れ、vから見てwが120度遅れ、・・・」ということでしょう。
http://up3.viploader.net/pc/src/vlpc009811.jpg
http://up3.viploader.net/pc/src/vlpc009812.jpg
この回路をシミュレーションして結果は下の図なんだけど振幅が何でこの値になるのかがよく分からない
この回路の伝達関数はVo=(1/(2pi*fin*(Cf/(Cc*fs))))*Vinで(Cf=10pF,Cc=50fF,fs=1MHz,fin=1kHz)から
入力信号の0.8倍になるかと思ったんだけど、実際は0.9倍
計算方法間違ってる？
そのプロットを見るかぎりゲインは0.9じゃなくて0.45に見えるけど。
クロックがちゃんと1 MHzになってるか確認した？
わかる方解説していただけませんか？もしくは解説があるサイトの紹介でも。
例えば、エミッタ接地回路を構成したときに、不純物濃度等プロセスが違えばβも変わると思います。
βはどのような式で表されるのか、何の関数なのかが知りたいです。
ベースの薄さ
ttp://2chnull.info/r/denki/1289281379/
すみません全部読む場合はこちらですね
ttp://2chnull.info/r/denki/1289281379/1-1001
並列回路の二つに分岐する節点での電圧、電流をそれぞれ1V、1Aだとする。
分岐した先に1オームの抵抗が
それぞれついている場合オームの法則
によってそれぞれの抵抗に1Aづつ
電流が流れている事になる。
だけどこれはキルヒホッフの電流則に
反してしまう。
この矛盾について教えて欲しいです。
お願いします。
>電圧、電流をそれぞれ1V、1Aだとする。
>1オームの抵抗がそれぞれついている
どれかが間違っている。
の1ｰ20を見たのですが、このアニメ
ーションについて質問をしたいです。
Vce間の電圧を上げればそれだけ電位勾配が出来てエミッタ電流が大きくなりそうなのですが、実際は一定値に落ち着きますよね
この定常値に落ち着くという現象を出来る限り定性的に説明していただけないでしょうか？
フェルミ準位など、pn結合の基本的なところは一通り理解しております。
────────────
↑ →１Ａ │↓ │↓
１ < １ < １
Ｖ < A < Ａ
↓ < <
│ │
────────────
何で１＋１＝１何だ？
エミッタ接地だからね
エミッタから見ればコレクタの電位が下がってもベースを超えなきゃならん
このベースの障壁が変わらなければ拡散流は増えない
これがベース（ホール）で電流を制御出来てる理由
ありがとうございます！
確かに、エミッタ側から見たらまずはベースの電位障壁が通電のための当面の問題であり、これによりベースでトランジスタの動作制御が可能になるということは納得できます。
ですが初めはVceの影響によりコレクタ電流が増加しているにもかかわらず途中から急にその関連性が消えるというのは少し理解がしがたいです。
しかし、一定の電位差がベースコレクタ間に生じればドリフト流によってコレクタの電子ははける
このときベースからみたらバンド曲がりのためにコレクタが遠くなるし拡散流が増える
全く正常に動作すると考えて良いでしょうか?
けど実際にはエミッタとコレクタはドーピング濃度が違って、ベースの制御性を高めてる
なるほど、なるほど。ありがとうございます。
もうひとつ教えてください。
トランジスタのデータシートを見ると、Ic-Vceのグラフがあります。
よく動作点の決定や動作線を引くグラフです。
そこに書かれているIbの値は、10uA, 20uA, 30uA, とか規則正しく増減させて、
段々畑のように書いてあります。
ところが、値は段々に増えていくのに、グラフの位置は等間隔になっていません。
つまり、同じΔIbを流しても、Icの増減がIbの値で一定になっていません。
このような状態だと、リニアな増幅ができないのでは?と前から思っています。
微小Ib範囲、中量Ib範囲・・・と直線的でないので、
動作点を中央に置いて、対称な正弦波を入れても、
上半分は元気よく、下半分は詰まったような波形?がIcに流れると思うのですが。
世の中では「そういうもんだよ」ということで、使っているのでしょうか?
あるいは、私が大ボケでしょうか?
ありがとうございました。
やはりそうなんですね。
OP AMPのような「出力を見て、入力を加減する」ような機構があれば良いと思ったのですが、
教科書に出てくるような1石アンプだと「おかしいな」と思っていました。
どうもありがとうございました。
普通の1石アンプ(エミッタ接地増幅)では
エミッタについてる抵抗がそういう機構を担う。
>OP AMPのような「出力を見て、入力を加減する」ような機構があれば良いと思ったのですが
ちみ、なかなか良い筋してるね。
>OP AMPのような「出力を見て、入力を加減する」ような機構があれば良いと思ったのですが
>>51の言うように、hFEが大きいTrなら、電圧利得はほぼ -Rc/Re になる。
お願いします。
理想的な誘導・容量負荷は100%無効電力
ああ、やはりそうですよね。
１００％の無効電力はありうるということですね？
ありがとうございました。
あくまで理論上ね
現実世界では、抵抗分だったり誘電損失だったりコアの損失だったり
いろいろあるから、位相はπ/2未満になって、有効電力がいくらか
出てくるよ
機械的なものに例えると何になるんだろう？
フライホール（はずみ車）は、すくなくとも１回は実際にエネルギー移動してるよなぁ。
エネルギー移動してもぜんぜんよい
また100%とりだせればよい
ちなみにアナロジーで考えるならこうかな
R：ダンパー
L：重り
C：バネ
ああ、そうかぁ。
酔った頭だと
R：摩擦エネルギー→熱
L：C： 位置と運動にわりあて（重り バネはどっちでもいい）
こんな感じに置き換えてみたけど。
で、１００ｖａｒの無効電力を作るには
どっかに１００Ｗ相当のエネルギーを供給する能力があるんだろうなぁ。
以上、酔っ払いのたわごとでした。
スマソ
＞で、１００ｖａｒの無効電力を作るには
＞どっかに１００Ｗ相当のエネルギーを供給する能力があるんだろうなぁ。
そうね、少なくとも皮相電力が100VAの電源容量はあることになるでしょうね
でないと、100varも100Wも供給できないからね
最後はどうなるのですか？
どうにもなりませんよ？
発電機が止まらない限り、ずっと電源と負荷間でやり取りしてくだけ
どこか携帯電話の電源回路図があるサイトがありましたら教えていただけないでしょうか
そういうモバイル端末電源設計用の講習会はたくさんある。
ホントに困ってます。分かる人がいたらお願いします。
http://beebee2see.appspot.com/i/azuY-YLHBQw.jpg
http://uproda.2ch-library.com/478354rOk/lib478354.pdf
Ａ５判／346頁／定価4725円 裳華房
あたりに書いてあるんじゃね？
学部図書室か、立ち読みに行けば？
ttp://laputa.cs.shinshu-u.ac.jp/~yizawa/CompArch/design_dentaku/index.htm
ここの制御回路とエラーをだすためのマルチプレクサの回路はどのようになっているのでしょうか?
ある先輩は焼けると。またある先輩は焼けないと。どっちが正解かな?
それぞれ何がデプレッションされていて、
何がエンハンスされているのでしょうか？
だけど、よい教科書、参考書があったら教えてくれぇ。学生は回路理論も怪しい
レベル。
特性曲線の存在領域がVgs軸の増大（プラス）方向に方向に行くほど
エンハンス（増大）で、減少方向に行くほどデプレス（低下）だから。
モータ電流（Im）は、ほぼ駆動電圧（Vs）と逆起電力との差電圧（Vd）とコイルの
内部抵抗（インピーダンス）（Ri）で決まる（Im=Vd/Ri）が、ロータ（回転部分）
がないと回転による逆起電力が生じないので、起動時の電流（=Vs/Ri）が流れ
続けるため焼けてしまう。
↓この辺を見て、勉強しろ。
ttp://www.eonet.ne.jp/~hidarite/ce/denki02.html#kouryuu02
論理（ブール代数とその応用）のレベルなのか、具体的なIC（TTL,CMOS,・・・）
のレベルなのか、さらに内部等価回路のレベルなのか、どこまでを目標に
するかで違うでしょ。
ただ、教科書がなくてもディジタル回路の解説はネット上にいっぱい
ころがってるな。
周波数上げるとゲインは小さくなるけど、その前に波形が歪みそうだけど
焼けないと思うなぁ
無負荷のトランスと同じようなもんだし
デプレッション → デプリーション
>>79
デプレス = がっかりする
デプリーションね。
よそで言うなよ、ここで恥をかいておいた方が良い。
これがディプリーションに聞こえる耳は交換したほうがいい。
消耗、減少→depletion(ディプリーション)
ノーマリオンのは後者だからみんな間違えないようにね
前にも見た質問だな。正解しりたかったら
第二種電気主任技術者試験 part35
http://ikura.2ch.net/test/read.cgi/lic/1326301389/
この辺だな。
まぁ、そっちのスレなら回転子が停止してる場合と回転子がない場合を
同じにする人はいないだろう。
これで明日から友達に自慢できる！
友達が居れば」だが。
depress → de + press → 反 + 押す → 引く、なるほど ってね。
会社で何人かの前で、盛大に笑われて、一生忘れない事件になった。
が公式として
Vr = Q/(4πεr)とありますが、自分は公式の丸覚えが嫌いなので、
自分で証明しようとしたのですが
http://uproda.2ch-library.com/lib481297.bmp.shtml
上図のように求めようとしたら符号がマイナスになってしまいます。
どこがおかしいのかご教示ください。
θの定義を間違ってるから。
質問です。
１、近似が可能となる前提条件ならびどのような近似方法を用いるのか？
２、その前提条件を満たさないとき どのようになるか？
ネットや本で調べたんですが、なかなか良い解答が見当たりません。
どなたか教えて下さい。
宿題（課題・考察）の丸投げすんな。
すいませんが、θがどう間違ってるかおしえてください。
知恵袋でもきいてんのかよ
ttp://detail.chiebukuro.yahoo.co.jp/qa/question_detail/q1380192593
ネットでもぜんぜん情報ないね
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